Center wavelength: 3850±50nm
Half width:180±20nm
Transmittance:>80%
Cut-off band except passband: 1-11um Tave<0.5%
Substrate: Silicon
Diameter: 100.00mm±0.50mm
Thickness: 0.5mm ± 0.05mm
(Base 、diameter、 thickness can be customized）
HC/CH4
Datasheet
NBP3850-180
| PROD | Cut-off wavelength | Transmittance | Basis | Cut-off depth | Diameter | Thick | Application | |
| Range | Tave | Tave | ||||||
| NBP3850-180 | 1-11um | 3850±50nm | T>80% | Silicon， germanium， sapphire | Tave<0.5% | 100±0.5mm | 0.5±0.05mm | HC/CH4 |
Access detailed technical information, configuration guides, and solutions notes to support your evaluation and implementation of the 3.85μm Series.
Исчерпывающие технические характеристики и подробные справочные данные по модулям и компонентам.
СкачатьСтандартная распиновка, определение интерфейса и назначение сигнальных контактов для обеспечения надежного соединения.
СкачатьПолная схема электрических соединений, принципиальная схема применения и типовая схема подключения — для использования при проектировании.
СкачатьСвяжитесь с нашим отделом продаж, чтобы получить образцы, техническую поддержку и узнать о выгодных ценах. Мы предлагаем индивидуальные решения, адаптированные к вашим конкретным требованиям.
Запросить образцы
